Leistungshalbleiter

Infineon / Siliziumkarbid-MOSFETs

Verschiedene Treiberoptionen für CoolSiC evaluieren

Um das Schaltverhalten von CoolSiC-MOSFET mithilfe des Doppelpulstests zu untersuchen, hat Infineon nun eine modulare Evaluierungsplattform herausgebracht. Dies soll die Markteinführungszeit für zahlreiche Anwendungen verkürzen und somit Siliziumkarbid massentauglich machen.

Neue 1200-V-SiC-MOSFET-Familie

AOS bietet jetzt auch MOSFETs aus Siliziumkarbid

Nach erfolgreichen Langzeittests mit Siliziumkarbid-Technologie erweitert Alpha und...

Siliziumkarbid

Forscher lernen mehr über SiC-Defekte

Die Defektdichte bei SiC-Wafern zu senken, ist eine große Herausforderung. Nun hat ein...

Littelfuse / SiC-MOSFETs

Wie robust ist Siliziumkarbid im Kurzschlussfall?

Der Einsatz von Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) kann Leistungsumrichter wesentlich...

GaN im Test gegen Silizium

Wide-Bandgap-Halbleiter für Elektrofahrzeuge

Die Elektrisierung des Autos braucht Leistung. Galliumnitrid-Transistoren bedienen die...

AEC-Q101-konforme P-Kanal-MOSFETs

Nexperia halbiert Größe bei gleicher Leistung

Nexperia hat die branchenweit erste P-Kanal-MOSFET-Familie im robusten und...

Dr. Steffen Metzger, Infineon

Warum SiC-MOSFETs für 650 Volt?

Mitte Februar 2020 hat Infineon seine Siliziumkarbid-MOSFETs mit einer Serie mit 650 V...

Power-Bausteine für Induktionsgeräte

Toshiba bringt 1350V-IGBT für hohe Temperaturen und wenig Verlust

Toshiba hat einen diskreten 1350V-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) für...

Sanan IC

Foundry-Plattformen für SiC und GaN

Ein erweitertes Portfolio an Prozessen für die Fertigung von...

Überstrom sicher begegnen

Intelligente Leistungshalbleiter für funktionale Sicherheit

Sicherheit im Auto bedeutet nicht nur, ob der Fahrer angeschnallt ist. Auch die...